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离子迁移不再困扰:高效覆盖膜解决方案


随着电子设备在提高性能的同时向着小型化、轻量化方向发展,产品集成度越来越高,FPC的线宽线距越来越小。当FPC在高温高湿的环境下工作时,细线路间易形成导电性枝晶,降低线路间的绝缘可靠性,甚至导致FPC短路失效。离子迁移造成的电子产品元器件电化学腐蚀成为下游FPC厂近几年最严重的质量问题。

 

提高PCB基材的耐离子迁移性成为了电子产品开发中的迫切需求。因此,对于精细线路制程工艺,与之匹配的抗枝晶(Anti-dendrite)材料就显得十分必要。抗枝晶(Anti-dendrite)材料的使用,能有效降低细线路间产生枝晶的风险,提高FPC的可靠性。

 

耐离子迁移的产生条件

 

电化学迁移通常是指在电场作用下使金属离子发生迁移的现象,其形成的必要条件:电势差、电解质溶液、离子迁移通道、可迁移物质。

 

电势差:FPCB使用通电时,通路之间会形成一定的电势差。

电解质溶液:环境条件下的水汽,FPCB制程中的污染物离子及有胶材料胶粘剂中的杂质离子,可形成可导电的电解质溶液。

离子迁移通道:环氧胶系覆盖膜在热固化过程中会形成一些微小孔隙及空洞,就可为离子迁移提供通道。

可迁移物质:焊点Sn、 焊盘Ni、基材Cu等可参与电化学反应的金属及其离子。

 

耐离子迁移覆盖膜优势


 

相对于normal CVL :

l 更低的卤素水平

l 更优秀的高温耐老化能力

l 1000H耐离子迁移能力,无枝晶

 

相对于其他厂家Anti-dendrite CVL

l 更好的操作性

l 更优良的基础物性和耐老化信赖性

l 更具有竞争力的价格


技术参数

 

ZYC-C系列CVL耐离子迁移性能突出,适合精细线路设计FPC制程。

 

项目

ZYC-C

叠构

PI

胶离型纸

PI

厂家

达迈、菲玛特

厚度/um

12、25、50

厂家

南昌正业

厚度/um

10-50

 

 

耐离子迁移覆盖膜——卤素对比

 

Anti-dendrite产品具有较Normal产品更低的卤素水准,更耐离子迁移。

 

 

 Normal CVL 428ppm

 

 

耐离子迁移覆盖膜——迁移测试

 

Anti-dendrite CVL 1000H Migration test OK

离子迁移测试 

Normal CVL

Anti-dendrite CVL

测试条件

温湿度:85℃/85%RH

时间:1000h

电压: DC 50V

基材:ZYFD250012

覆盖膜:ZYC1215

线宽线距:50um/50um

测试结果

500H NG

1000H OK

阻值

初始电阻/Ω

1.48E+9

1.92E+9

500H电阻/Ω

--

1.89E+9

1000H电阻/Ω

--

1.87E+9

电阻下降率

--

2.6%

*500h Normal cvl部分样品发生微短

 

 

耐离子迁移覆盖膜——测试设备

 

85环境下50V直流电压对样品进行测试1000H


 

 

Migration test 1000H OK , no dendrite


 

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